Cypress Semiconductor CY7C1021CV33-12VCT

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

44-SOJ

终端数量

44

Number of Words

64000

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1021

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

SOJ,

Package Style

小概要

Number of Words Code

64000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

CY7C1021CV33-12VCT

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

SOJ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.11

Part Package Code

SOJ

包装

卷带

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.B

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

J BEND

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-J44

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.63 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.97 V

最大电源电压

3.63 V

最小电源电压

2.97 V

内存大小

1Mbit

端口的数量

1

电源电流

85 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

12 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64KX16

座位高度-最大

3.7592 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

12ns

地址总线宽度

16 b

密度

1 Mb

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

同步/异步

Asynchronous

字长

16 b

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

64K x 16

宽度

10.16 mm

长度

28.575 mm

达到SVHC

unknown