Cypress Semiconductor CY7C1041BV33-20VCT
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CY7C1041BV33-20VCT
603-CY7C1041BV33-20VCT
无类别的
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
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Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
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CY7C1041BV33-20VCT详情
Cypress Semiconductor CY7C1041BV33-20VCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
44-SOJ
终端数量
44
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C1041
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
SOJ,
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.21
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
262144 words
Manufacturer Part Number
CY7C1041BV33-20VCT
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
20 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
256000
Package Style
小概要
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
44
JESD-30代码
R-PDSO-J44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
内存大小
4Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
20 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX16
座位高度-最大
3.7592 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
20ns
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
256K x 16
长度
28.575 mm
宽度
10.16 mm
达到SVHC
unknown
CY7C1041BV33-20VCT拓展信息







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