Cypress Semiconductor CY7C1049B-25VCT
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CY7C1049B-25VCT
603-CY7C1049B-25VCT
无类别的
36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36
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CY7C1049B-25VCT详情
Cypress Semiconductor CY7C1049B-25VCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
36-SOJ
终端数量
36
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C1049
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
0.400 INCH, SOJ-36
Package Style
小概要
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
25 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
CY7C1049B-25VCT
Number of Words
524288 words
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.65
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
端子表面处理
未说明
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
36
JESD-30代码
R-PDSO-J36
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
4Mbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
25 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX8
座位高度-最大
3.683 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
512K x 8
宽度
10.16 mm
长度
23.495 mm
CY7C1049B-25VCT拓展信息







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