Cypress Semiconductor CY7C1049BV33-12ZC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

44-TSOP II

终端数量

44

Schedule B

8542320040

Number of Words

512000

Current - Supply (Nom)

200 mA

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1049

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

TSOP2-44

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1049BV33-12ZC

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.11

Part Package Code

TSOP2

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3.3 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

4Mbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

访问时间

12 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

12ns

地址总线宽度

19 b

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3 V

组织的记忆

512K x 8

宽度

10.16 mm

长度

18.41 mm

辐射硬化

无