Cypress Semiconductor CY7C109B-20VI
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CY7C109B-20VI
603-CY7C109B-20VI
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
--最小包装量--
CY7C109B-20VI详情
Cypress Semiconductor CY7C109B-20VI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
32
终端数量
32
Number of Words
128000
RoHS
Compliant
Package Description
0.400 INCH, SOJ-32
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
2
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ32,.44
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
20 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C109B-20VI
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
7.62
Part Package Code
SOJ
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-J32
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
端口的数量
1
电源电流
75 mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.075 mA
访问时间
20 ns
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.7592 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
17 b
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
10.16 mm
长度
20.955 mm
CY7C109B-20VI拓展信息







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