Cypress Semiconductor CY7C131-55JCT

工厂交货时间

1 Week

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

52-LCC (J-Lead)

表面安装

YES

引脚数

52

供应商器件包装

52-PLCC (19.13x19.13)

终端数量

52

Number of Words

1000

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C131

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

PLASTIC, LCC-52

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC52,.8SQ

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C131-55JCT

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8.7

Part Package Code

LCC

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

中断标志

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

52

JESD-30代码

S-PQCC-J52

资历状况

不合格

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

内存大小

8Kbit

端口的数量

2

电源电流

110 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.11 mA

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

20 b

密度

8 kb

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

8192 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES

组织的记忆

1K x 8

宽度

19.1262 mm

长度

19.1262 mm

辐射硬化

无