Cypress Semiconductor CY7C131-55JI

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

52-LCC (J-Lead)

表面安装

YES

引脚数

52

供应商器件包装

52-PLCC (19.13x19.13)

终端数量

52

Number of Words

1000

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C131

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

PLASTIC, LCC-52

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C131-55JI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Part Package Code

LCC

Risk Rank

5.82

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

SQUARE

Package Code

QCCJ

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

中断标志

技术

SRAM - Dual Port, Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

52

JESD-30代码

S-PQCC-J52

资历状况

COMMERCIAL

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

内存大小

8Kbit

端口的数量

2

电源电流

110 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1KX8

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

20 b

密度

8 kb

记忆密度

8192 bit

并行/串行

PARALLEL

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

组织的记忆

1K x 8

宽度

19.1262 mm

长度

19.1262 mm

辐射硬化

无