Cypress Semiconductor CY7C1339F-100BGI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

119-BGA

表面安装

YES

供应商器件包装

119-PBGA (14x22)

终端数量

119

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C1339

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119

Package Style

网格排列

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.84

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

BGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Number of Words

131072 words

Manufacturer Part Number

CY7C1339F-100BGI

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

4.5 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

128000

Moisture Sensitivity Levels

3

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

流水线结构

技术

SRAM - Synchronous, SDR

电压 - 供电

3.15V ~ 3.6V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

220

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

3.63 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

内存大小

4Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

100 MHz

访问时间

4.5 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX32

座位高度-最大

2.4 mm

内存宽度

32

写入周期时间 - 字符、页面

-

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

缓存SRAM

组织的记忆

128K x 32

长度

22 mm

宽度

14 mm

达到SVHC

unknown