Cypress Semiconductor CY7C1370C-200BGC
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CY7C1370C-200BGC
603-CY7C1370C-200BGC
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ZBT SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
1最小包装量--
CY7C1370C-200BGC详情
Cypress Semiconductor CY7C1370C-200BGC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
119
Package Description
14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
3 ns
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.74
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
BGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
524288 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Manufacturer Part Number
CY7C1370C-200BGC
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
70 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.3 mA
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.4 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.06 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
CY7C1370C-200BGC拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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