Cypress Semiconductor CY7C1370C-200BZI

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

165

终端数量

165

Number of Words

512000

RoHS

Compliant

Package Description

TBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

3 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C1370C-200BZI

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.69

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

220

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

not_compliant

频率

200 MHz

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.63 V

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.135 V

最大电源电压

3.465 V

最小电源电压

3.135 V

端口的数量

1

电源电流

300 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.3 mA

访问时间

3 ns

组织结构

512KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

19 b

密度

18 Mb

待机电流-最大值

0.06 A

记忆密度

18874368 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Synchronous

字长

36 b

内存IC类型

ZBT SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

宽度

13 mm

长度

15 mm

辐射硬化

无