Cypress Semiconductor CY7C1373D-133BZC
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CY7C1373D-133BZC
603-CY7C1373D-133BZC
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CY7C1373D-133BZC详情
Cypress Semiconductor CY7C1373D-133BZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
Package Description
13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
6.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C1373D-133BZC
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.86
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.21 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.07 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
ZBT SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
CY7C1373D-133BZC拓展信息







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