Cypress Semiconductor CY7C1399B-10VC
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CY7C1399B-10VC
603-CY7C1399B-10VC
无类别的
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
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Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
--最小包装量--
CY7C1399B-10VC详情
Cypress Semiconductor CY7C1399B-10VC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
28-SOJ
终端数量
28
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C1399
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
0.300 INCH, SOJ-28
Package Style
小概要
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
CY7C1399B-10VC
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
SOJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.69
Part Package Code
SOJ
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
端子表面处理
未说明
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-J28
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
组织的记忆
32K x 8
宽度
7.5 mm
长度
17.907 mm
CY7C1399B-10VC拓展信息







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