Cypress Semiconductor CY7C140-35DMB
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CY7C140-35DMB
603-CY7C140-35DMB
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, SIDEBRAZE, DIP-48
--最小包装量--
CY7C140-35DMB详情
Cypress Semiconductor CY7C140-35DMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
48
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C140
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C140-35DMB
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.17
Part Package Code
DIP
操作温度
-55°C ~ 125°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
锡铅
附加功能
中断标志
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Dual Port, Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PDIP-T48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
8Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
35 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1KX8
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
记忆密度
8192 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
组织的记忆
1K x 8
宽度
15.24 mm
长度
60.96 mm
CY7C140-35DMB拓展信息







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