注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥21.158533
10
¥19.96088
100
¥18.831019
500
¥17.765116
1000
¥16.759542
Cypress Semiconductor CY7C150-10DC
- 收藏
- 对比
CY7C150-10DC
603-CY7C150-10DC
无类别的
--
大陆
立即发货

Cache SRAM, 1KX4, 10ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERDIP-24
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CY7C150-10DC详情
Cypress Semiconductor CY7C150-10DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C150
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
0.300 INCH, CERDIP-24
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Access Time-Max
10 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
CY7C150-10DC
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.79
Part Package Code
DIP
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
端子表面处理
未说明
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
24
JESD-30代码
R-GDIP-T24
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
4Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
10 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1KX4
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
4
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
组织的记忆
1K x 4
宽度
7.62 mm
长度
31.877 mm
CY7C150-10DC拓展信息






哦! 它是空的。