Cypress Semiconductor CY7C150-35DMB
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CY7C150-35DMB
603-CY7C150-35DMB
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CY7C150-35DMB详情
Cypress Semiconductor CY7C150-35DMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
Package Description
0.300 INCH, CERDIP-24
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP24,.3
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C150-35DMB
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.42
Part Package Code
DIP
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
内存复位功能
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-GDIP-T24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
1KX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.1 A
记忆密度
4096 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
输出启用
YES
宽度
7.62 mm
长度
31.877 mm
CY7C150-35DMB拓展信息







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