Cypress Semiconductor CY7C1513V18-300BZC
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CY7C1513V18-300BZC
603-CY7C1513V18-300BZC
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QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
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CY7C1513V18-300BZC详情
Cypress Semiconductor CY7C1513V18-300BZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
引脚数
165
终端数量
165
RoHS
Compliant
Package Description
15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C1513V18-300BZC
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.87
Part Package Code
BGA
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
1.8 V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
温度等级
COMMERCIAL
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
4MX18
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
18
地址总线宽度
22 b
密度
72 Mb
记忆密度
75497472 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
QDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.9 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
宽度
15 mm
长度
17 mm
辐射硬化
无
CY7C1513V18-300BZC拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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