Cypress Semiconductor CY7C1520AV18-200BZI
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CY7C1520AV18-200BZI
603-CY7C1520AV18-200BZI
无类别的
165-LBGA
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DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
1最小包装量--
CY7C1520AV18-200BZI详情
Cypress Semiconductor CY7C1520AV18-200BZI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
终端数量
165
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C1520
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.45 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C1520AV18-200BZI
Number of Words
2097152 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.87
Part Package Code
BGA
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
流水线结构
技术
SRAM - Synchronous, DDR II
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
端子间距
1 mm
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
内存大小
72Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200 MHz
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2MX36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
75497472 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DDR SRAM
组织的记忆
2M x 36
宽度
15 mm
长度
17 mm
达到SVHC
unknown
CY7C1520AV18-200BZI拓展信息







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