Cypress Semiconductor CY7C185A-35LMB
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CY7C185A-35LMB
603-CY7C185A-35LMB
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Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
1最小包装量--
CY7C185A-35LMB详情
Cypress Semiconductor CY7C185A-35LMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
28
RoHS
Non-Compliant
Package Description
LCC-28
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
8000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
LCC28,.35X.55
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C185A-35LMB
Number of Words
8192 words
Part Package Code
QLCC
Risk Rank
7.79
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
QCCN
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-CQCC-N28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.125 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.905 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.02 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
输出启用
YES
宽度
8.89 mm
长度
13.97 mm
CY7C185A-35LMB拓展信息







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