Cypress Semiconductor CY7C197BN-15VCT
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CY7C197BN-15VCT
603-CY7C197BN-15VCT
存储器
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Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 8 X 15 MM, 3.50 MM HEIGHT, MO-088, SOJ-24
1最小包装量--
CY7C197BN-15VCT详情
Cypress Semiconductor CY7C197BN-15VCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
24
Package Description
8 X 15 MM, 3.50 MM HEIGHT, MO-088, SOJ-24
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOJ24,.34
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
15 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Part Package Code
SOJ
Risk Rank
5.76
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
SOJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
262144 words
Manufacturer Part Number
CY7C197BN-15VCT
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
24
JESD-30代码
R-PDSO-J24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.15 mA
组织结构
256KX1
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.55 mm
内存宽度
1
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
SEPARATE
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
7.505 mm
长度
15.365 mm
CY7C197BN-15VCT拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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