Cypress Semiconductor CY7C199-35SI

表面安装

YES

终端数量

28

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C199

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

SOP,

Package Style

小概要

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CY7C199-35SI

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.37

Part Package Code

SOIC

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8542.32.00.41

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDSO-G28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

256Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

35 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

座位高度-最大

2.65 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

32K x 8

宽度

7.5 mm

长度

17.9 mm