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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.542583
10
¥10.889229
100
¥10.272854
500
¥9.691373
1000
¥9.142802
Cypress Semiconductor CY7C199-35SI
- 收藏
- 对比
CY7C199-35SI
603-CY7C199-35SI
无类别的
--
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Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CY7C199-35SI详情
Cypress Semiconductor CY7C199-35SI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
28
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
Volatile
Product Status
活跃
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Base Product Number
CY7C199
Package
Bulk
Package Description
SOP,
Package Style
小概要
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C199-35SI
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.37
Part Package Code
SOIC
系列
-
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8542.32.00.41
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
35 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
座位高度-最大
2.65 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
组织的记忆
32K x 8
宽度
7.5 mm
长度
17.9 mm
达到SVHC
unknown
CY7C199-35SI拓展信息






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