Cypress Semiconductor CY7C199N-35PXC

安装类型

通孔

包装/外壳

28-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

供应商器件包装

28-PDIP

终端数量

28

Package

Bulk

Base Product Number

CY7C199

厂商

Cypress Semiconductor Corp

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MO-095, DIP-28

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C199N-35PXC

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.62

Part Package Code

DIP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

TIN

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

28

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

COMMERCIAL

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

256Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

35 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32KX8

座位高度-最大

4.82 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

标准SRAM

组织的记忆

32K x 8

宽度

7.62 mm

长度

34.67 mm