Cypress Semiconductor CY7C251-65DMB
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CY7C251-65DMB
603-CY7C251-65DMB
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OTP ROM, 16KX8, 65ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
1最小包装量--
CY7C251-65DMB详情
Cypress Semiconductor CY7C251-65DMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Package
Bulk
Base Product Number
CY7C251
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Package Description
DIP,
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Words Code
16000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
65 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CY7C251-65DMB
Number of Words
16384 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.83
Part Package Code
DIP
Usage Level
Military grade
操作温度
-55°C ~ 125°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
电源开关
技术
EPROM - UV
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
28
JESD-30代码
R-CDIP-T28
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
128Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
65 ns
内存格式
EPROM
内存接口
Parallel
组织结构
16KX8
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
131072 bit
筛选水平
MIL-STD-883
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM
组织的记忆
16K x 8
宽度
7.62 mm
长度
37.0205 mm
CY7C251-65DMB拓展信息







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