Cypress Semiconductor CY7C261-45WMB
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CY7C261-45WMB
603-CY7C261-45WMB
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UVPROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24
1最小包装量--
CY7C261-45WMB详情
Cypress Semiconductor CY7C261-45WMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
24
Part Package Code
DIP
Risk Rank
8.68
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
WDIP
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Number of Words
8192 words
Manufacturer Part Number
CY7C261-45WMB
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
125 °C
Access Time-Max
45 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Equivalence Code
DIP24,.3
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Number of Words Code
8000
Package Style
IN-LINE, WINDOW
Package Description
WDIP, DIP24,.3
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
电源开关
HTS代码
8542.32.00.61
子类别
EPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
引脚数量
24
JESD-30代码
R-GDIP-T24
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
MIL-STD-883
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
UVPROM
长度
31.877 mm
宽度
7.62 mm
达到SVHC
compliant
CY7C261-45WMB拓展信息







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