Cypress Semiconductor CY7C264-45WMB
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CY7C264-45WMB
603-CY7C264-45WMB
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UVPROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-24
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CY7C264-45WMB详情
Cypress Semiconductor CY7C264-45WMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
24
终端数量
24
RoHS
Non-Compliant
Package Description
WDIP, DIP24,.6
Package Style
IN-LINE, WINDOW
Number of Words Code
8000
Package Body Material
CERAMIC, GLASS-SEALED
Package Equivalence Code
DIP24,.6
Operating Temperature-Min
-55 °C
Access Time-Max
45 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
CY7C264-45WMB
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
WDIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
8.36
Part Package Code
DIP
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
电源开关
HTS代码
8542.32.00.61
子类别
EPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
引脚数量
24
JESD-30代码
R-GDIP-T24
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
电源电流
120 mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
访问时间
45 ns
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.715 mm
内存宽度
8
密度
64 kb
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
MIL-STD-883
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
UVPROM
宽度
15.24 mm
长度
31.877 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
unknown
CY7C264-45WMB拓展信息







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