Cypress Semiconductor CY7C4121KV13-600FCXC
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CY7C4121KV13-600FCXC
603-CY7C4121KV13-600FCXC
存储器
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QDR SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA361, 21 X 21 MM, 2.515 MM HEIGHT, LEAD FREE, FCBGA-361
--最小包装量--
CY7C4121KV13-600FCXC详情
Cypress Semiconductor CY7C4121KV13-600FCXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
引脚数
361
终端数量
361
RoHS
Compliant
Package Description
HBGA,
Package Style
GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CY7C4121KV13-600FCXC
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.3 V
Package Code
HBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
赛普拉斯半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.75
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B361
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
17.2 MB
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8MX18
座位高度-最大
2.765 mm
内存宽度
18
记忆密度
150994944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
QDR SRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.34 V
电压 - 供电 (最小值)
1.26 V
宽度
21 mm
长度
21 mm
CY7C4121KV13-600FCXC拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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