Cypress Semiconductor CYD09S18V18-200BBXI

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

256

终端数量

256

Number of Words

512000

RoHS

Compliant

Memory Types

SDR

Package Description

17 X 17 MM, 1.70 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

3.3 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CYD09S18V18-200BBXI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.78

Part Package Code

BGA

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

unknown

频率

200 MHz

引脚数量

256

JESD-30代码

S-PBGA-B256

资历状况

COMMERCIAL

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.58 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.42 V

界面

Parallel

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

1.1 MB

端口的数量

2

电源电流

690 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

访问时间

3.3 ns

组织结构

512KX18

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

18

地址总线宽度

19 b

密度

9 Mb

记忆密度

9437184 bit

最高频率

200 MHz

并行/串行

PARALLEL

同步/异步

Synchronous

字长

18 b

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

宽度

17 mm

长度

17 mm

无铅

无铅