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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1538.507976
10
¥1451.422619
100
¥1369.266619
500
¥1291.760965
1000
¥1218.642416
Cypress Semiconductor CYD18S36V-100BBC
- 收藏
- 对比
CYD18S36V-100BBC
603-CYD18S36V-100BBC
存储器
256-LBGA
大陆
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Dual-Port SRAM, 512KX36, 5.2ns, CMOS, PBGA256, 23 X 23 MM, 1.70 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, MO-192, FBGA-256
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CYD18S36V-100BBC详情
Cypress Semiconductor CYD18S36V-100BBC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
256-LBGA
表面安装
YES
供应商器件包装
256-FBGA (23x23)
终端数量
256
Package
Bulk
Base Product Number
CYD18S36
厂商
Cypress Semiconductor Corp
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
23 X 23 MM, 1.70 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, MO-192, FBGA-256
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
5.2 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CYD18S36V-100BBC
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
LBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.85
Part Package Code
BGA
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
流水线结构
技术
SRAM - Dual Port
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
内存大小
18Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
100 MHz
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
座位高度-最大
1.7 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
组织的记忆
512K x 36
宽度
23 mm
长度
23 mm
CYD18S36V-100BBC拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp






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