Cypress Semiconductor CYD18S36V18-167BBXI

表面安装

YES

引脚数

256

终端数量

256

RoHS

Compliant

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA, BGA256,16X16,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA256,16X16,40

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

11 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CYD18S36V18-167BBXI

Clock Frequency-Max (fCLK)

167 MHz

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.53

Part Package Code

BGA

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

频率

167 MHz

引脚数量

256

JESD-30代码

S-PBGA-B256

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.58 V

电源

1.5/1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.42 V

界面

Parallel

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

2.3 MB

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.78 mA

访问时间

4 ns

组织结构

512KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

38 b

密度

18 Mb

待机电流-最大值

0.35 A

记忆密度

18874368 bit

最高频率

167 MHz

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

1.4 V

宽度

19 mm

长度

19 mm

无铅

无铅