Cypress Semiconductor CYD18S36V18-200BBXC

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

256

终端数量

256

Number of Words

512000

RoHS

Compliant

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA, BGA256,16X16,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA256,16X16,40

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

9 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CYD18S36V18-200BBXC

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.56

Part Package Code

BGA

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

频率

200 MHz

引脚数量

256

JESD-30代码

S-PBGA-B256

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.58 V

电源

1.5/1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.42 V

界面

Parallel

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

2.3 MB

端口的数量

2

电源电流

800 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.8 mA

访问时间

3.3 ns

组织结构

512KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

38 b

密度

18 Mb

待机电流-最大值

0.3 A

记忆密度

18874368 bit

最高频率

200 MHz

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Synchronous

字长

36 b

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

1.4 V

宽度

19 mm

长度

19 mm

无铅

无铅