Cypress Semiconductor CYDD04S18V18-167BBXI
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CYDD04S18V18-167BBXI
603-CYDD04S18V18-167BBXI
存储器
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Dual-Port SRAM, 128KX36, 9ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256
1最小包装量--
CYDD04S18V18-167BBXI详情
Cypress Semiconductor CYDD04S18V18-167BBXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
256
Number of Words
256000
RoHS
Compliant
Memory Types
DDR
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
频率
167 MHz
工作电源电压
1.8 V
界面
Parallel
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
内存大小
512 kB
端口的数量
2
电源电流
460 mA
访问时间
600 ps
地址总线宽度
34 b
密度
4.5 Mb
最高频率
167 MHz
同步/异步
Synchronous
字长
18 b
辐射硬化
无
无铅
无铅
CYDD04S18V18-167BBXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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