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Cypress Semiconductor CYDD09S18V18-167BBXC

Name: CYDD09S18V18-167BBXC
Brand: Cypress Semiconductor
SKU: 603-CYDD09S18V18-167BBXC
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CYDD09S18V18-167BBXC

品牌

Cypress Semiconductor

utmel 编号

603-CYDD09S18V18-167BBXC

商品类别

存储器

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Dual-Port SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256

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CYDD09S18V18-167BBXC Cypress Semiconductor Dual-Port SRAM, 256KX36, 9ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256

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CYDD09S18V18-167BBXC详情

技术参数

Cypress Semiconductor CYDD09S18V18-167BBXC重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

256
Number of Words

512000
Current - Supply (Nom)

570 mA
RoHS

Compliant
Memory Types

DDR
包装

Bulk
最高工作温度

70 °C
最小工作温度

0 °C
电压 - 供电

1.8 V
频率

167 MHz
界面

Parallel
内存大小

1.1 MB
端口的数量

2
访问时间

600 ps
地址总线宽度

36 b
密度

9 Mb
最高频率

167 MHz
同步/异步

Synchronous
字长

18 b
电压 - 供电（最大值）

1.9 V
电压 - 供电（最小值）

1.7 V
辐射硬化

无
无铅

无铅

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