Cypress Semiconductor CYRS1049DV33-12FZMB

表面安装

YES

终端数量

36

Package Description

DFP, FL36,.5

Package Style

FLATPACK

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

512000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

FL36,.5

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CYRS1049DV33-12FZMB

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

DFP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.84

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e4

ECCN 代码

9A515.E

端子表面处理

Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFP-F36

资历状况

不合格

电源

3.3 V

温度等级

MILITARY

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.095 mA

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

2.99 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3 V

总剂量

300k Rad(Si) V

宽度

12.19 mm

长度

23.37 mm