Cypress Semiconductor Corp 5962F1123501QXA

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

36-CFlatPack

引脚数

36

Memory Types

Volatile

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C~125°C TA

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

36

电压 - 供电

3V~3.6V

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

3.3V

资历状况

Qualified

工作电源电压

3.3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

3V

内存大小

4Mb 512K x 8

端口的数量

1

电源电流

95mA

时钟频率

83MHz

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

12ns

地址总线宽度

19b

密度

4 Mb

筛选水平

MIL-PRF-38535 Class Q

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

长度

23.37mm

座位高度(最大)

2.99mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅