Cypress Semiconductor Corp CY14B104NA-ZS25XE

工厂交货时间

10 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

安装类型

表面贴装

Memory Types

Non-Volatile

包装

Tray

操作温度

-40°C~125°C TA

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

ECCN 代码

3A991.B.2.A

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

3V~3.6V

端子位置

DUAL

功能数量

1

端子间距

0.8mm

基本部件号

CY14B104

JESD-30代码

R-PDSO-G44

内存大小

4Mb 256K x 16

操作模式

ASYNCHRONOUS

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX16

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

记忆密度

4194304 bit

访问时间（最大）

25 ns

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

3V

宽度

10.16mm

座位高度(最大)

1.194mm

长度

18.415mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant