Cypress Semiconductor Corp CY14B116N-BA25XI
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CY14B116N-BA25XI
603-CY14B116N-BA25XI
存储器
60-LFBGA
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IC NVSRAM 16M PARALLEL
--最小包装量--
CY14B116N-BA25XI详情
Cypress Semiconductor Corp CY14B116N-BA25XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-LFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
3A991.A.2
HTS代码
8542.90.00.00
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B60
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
16Mb 1M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
记忆密度
16777216 bit
访问时间(最大)
25 ns
长度
18mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY14B116N-BA25XI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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