Cypress Semiconductor Corp CY62136FV30LL-45BVXIT

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-VFBGA

表面安装

YES

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MoBL®

已出版

2001

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.2V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

CY62136

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

2.5/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.2V

内存大小

2Mb 128K x 16

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.000004A

记忆密度

2097152 bit

访问时间（最大）

45 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.5V

长度

8mm

座位高度(最大)

1mm

宽度

6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant