Cypress Semiconductor Corp CY62147GN30-45B2XI
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CY62147GN30-45B2XI
603-CY62147GN30-45B2XI
存储器
48-VFBGA
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IC SRAM 4M PARALLEL
--最小包装量--
CY62147GN30-45B2XI详情
Cypress Semiconductor Corp CY62147GN30-45B2XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
48-VFBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
系列
MoBL®
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.2V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B48
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
4Mb 256K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
记忆密度
4194304 bit
访问时间(最大)
45 ns
长度
8mm
宽度
6mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY62147GN30-45B2XI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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