Cypress Semiconductor Corp CY62167GN18-55BVXI
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CY62167GN18-55BVXI
603-CY62167GN18-55BVXI
存储器
48-VFBGA
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IC SRAM 16M PARALLEL
1最小包装量--
CY62167GN18-55BVXI详情
Cypress Semiconductor Corp CY62167GN18-55BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.75mm
JESD-30代码
R-PBGA-B48
内存大小
16Mb 2M x 8 1M x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
记忆密度
16777216 bit
访问时间(最大)
55 ns
电压 - 供电 (最大值)
2.2V
电压 - 供电 (最小值)
1.65V
长度
8mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY62167GN18-55BVXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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