Cypress Semiconductor Corp CY7C1041GN30-10VXI
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CY7C1041GN30-10VXI
603-CY7C1041GN30-10VXI
存储器
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
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IC SRAM 4M PARALLEL
--最小包装量--
CY7C1041GN30-10VXI详情
Cypress Semiconductor Corp CY7C1041GN30-10VXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3V
端子位置
DUAL
功能数量
1
端子间距
1.27mm
基本部件号
CY7C1041
JESD-30代码
R-PDSO-J44
内存大小
4Mb 256K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
4194304 bit
访问时间(最大)
10 ns
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.2V
长度
28.575mm
座位高度(最大)
3.759mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY7C1041GN30-10VXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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