Cypress Semiconductor Corp CY7C1062DV33-10BGXI
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CY7C1062DV33-10BGXI
603-CY7C1062DV33-10BGXI
存储器
119-BGA
大陆
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SRAM, 16MB, PARALLEL, 10NS, 119BGA
--最小包装量--
CY7C1062DV33-10BGXI详情
Cypress Semiconductor Corp CY7C1062DV33-10BGXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BGA
引脚数
119
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2002
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
基本部件号
CY7C1062
引脚数量
119
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 512K x 32
端口的数量
1
电源电流
175mA
最大电源电流
175mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
19b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.025A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
32b
输出启用
YES
长度
22mm
座位高度(最大)
2.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CY7C1062DV33-10BGXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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