Cypress Semiconductor Corp CY7C1062GN30-10BGXI
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CY7C1062GN30-10BGXI
603-CY7C1062GN30-10BGXI
存储器
119-BBGA
大陆
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IC SRAM 16M PARALLEL
--最小包装量--
CY7C1062GN30-10BGXI详情
Cypress Semiconductor Corp CY7C1062GN30-10BGXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
119-BBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
电压 - 供电
3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
1.27mm
JESD-30代码
R-PBGA-B119
内存大小
16Mb 512K x 32
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
记忆密度
16777216 bit
访问时间(最大)
10 ns
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.2V
座位高度(最大)
2.4mm
宽度
14mm
长度
22mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY7C1062GN30-10BGXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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