Cypress Semiconductor Corp CY7C131E-55NXCT

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

52-BQFP

引脚数

52

Memory Types

Volatile

操作温度

0°C~70°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

52

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 供电

4.5V~5.5V

端子位置

QUAD

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

0.65mm

工作电源电压

5V

电源

5V

内存大小

8Kb 1K x 8

端口的数量

2

电源电流

160mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

20b

密度

8 kb

待机电流-最大值

0.015A

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

长度

10mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅