S25FL512SAGBHIC10
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Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGBHIC10

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型号

S25FL512SAGBHIC10

utmel 编号

603-S25FL512SAGBHIC10

商品类别

存储器

封装

24-TBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA

起订量

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S25FL512SAGBHIC10
S25FL512SAGBHIC10 Cypress Semiconductor Corp IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA

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S25FL512SAGBHIC10详情

Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGBHIC10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-TBGA

  • 引脚数

    24

  • 制造商包装标识符

    S25FL512SAGBHIC10

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 系列

    FL-S

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    24

  • 附加功能

    IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3V

  • 端子间距

    1mm

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源

    3/3.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7V

  • 界面

    SPI

  • 内存大小

    512Mb 64M x 8

  • 电源电流

    75mA

  • 时钟频率

    133MHz

  • 访问时间

    8 ns

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    SPI - Quad I/O

  • 数据总线宽度

    8b

  • 组织结构

    64MX8

  • 内存宽度

    8

  • 地址总线宽度

    32b

  • 密度

    512 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.0001A

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 编程电压

    3V

  • 串行总线类型

    SPI

  • 耐力

    100000 Write/Erase Cycles

  • 数据保持时间

    20

  • 写入保护

    HARDWARE/SOFTWARE

  • 备用内存宽度

    1

  • 页面尺寸

    512B

  • 环境温度范围高

    85°C

  • 高度

    1.2mm

  • 长度

    8mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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S25FL512SAGBHIC10拓展信息

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FM24W256-GTR
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FM25V02A-GTR
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