Cypress Semiconductor Corp S26KL512SDABHI030

工厂交货时间

13 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

24-VBGA

安装类型

表面贴装

Memory Types

Non-Volatile

已出版

2017

系列

HyperFlash™ KL

包装

Tray

操作温度

-40°C~85°C TA

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

24

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PBGA-B24

内存大小

512Mb 64M x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

100MHz

访问时间

96ns

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

64MX8

内存宽度

8

记忆密度

536870912 bit

编程电压

3V

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.7V

宽度

6mm

座位高度(最大)

1mm

长度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant