Cypress Semiconductor Corp S26KS512SDPBHI020
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S26KS512SDPBHI020
603-S26KS512SDPBHI020
存储器
24-VBGA
大陆
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IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
--最小包装量--
S26KS512SDPBHI020详情
Cypress Semiconductor Corp S26KS512SDPBHI020重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-VBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
HyperFlash™ KS
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
24
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B24
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
96ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
记忆密度
536870912 bit
筛选水平
AEC-Q100
编程电压
1.8V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
S26KS512SDPBHI020拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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