Cypress Semiconductor Corp S29CD032J0RFAM033
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S29CD032J0RFAM033
603-S29CD032J0RFAM033
存储器
80-LBGA
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IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA
1最小包装量--
S29CD032J0RFAM033详情
Cypress Semiconductor Corp S29CD032J0RFAM033重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
80-LBGA
表面安装
YES
引脚数
80
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CD-J
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
80
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.65V~2.75V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
2.6V
端子间距
1mm
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.75V
电源
1.8/2.62.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.5V
内存大小
32Mb 1M x 32
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
75MHz
电源电流-最大值
0.09mA
访问时间
54ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
1MX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
待机电流-最大值
0.00006A
记忆密度
33554432 bit
编程电压
2.7V
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1662
行业规模
2K16K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
13mm
座位高度(最大)
1.4mm
宽度
11mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
S29CD032J0RFAM033拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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