Cypress Semiconductor Corp S29WS512R0SBHW200

安装类型

表面贴装

包装/外壳

84-VFBGA

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-25°C~85°C TA

包装

Tray

系列

WS-R

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

84

附加功能

SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE, TOP BOOT BLOCK

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.8mm

JESD-30代码

R-PBGA-B84

内存大小

512Mb 32M x 16

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

104MHz

访问时间

80ns

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

32MX16

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

60ns

记忆密度

536870912 bit

编程电压

1.8V

电压 - 供电 （最大值）

1.95V

电压 - 供电 （最小值）

1.7V

引导模块

TOP

长度

11.6mm

座位高度(最大)

1mm

宽度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant