Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHB003
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S34MS01G200BHB003
603-S34MS01G200BHB003
存储器
63-VFBGA
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IC FLASH 1G PARALLEL
1最小包装量--
S34MS01G200BHB003详情
Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHB003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
15 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100, MS-2
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B63
内存大小
1Gb 128M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
记忆密度
1073741824 bit
编程电压
1.8V
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
长度
11mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
S34MS01G200BHB003拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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