Cypress Semiconductor Corp S72VS256RE0AHBH10

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

133-VFBGA

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-25°C~85°C TA

包装

Tray

系列

VS-R

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

133

ECCN 代码

3A991.B.1.A

附加功能

256 MBIT (16M X 16 TOP BOOT BLOCK) FLASH MEMORY

HTS代码

8542.32.00.71

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.5mm

JESD-30代码

S-PBGA-B133

资历状况

不合格

内存大小

256Mbit Flash 2565Mbit DDR DRAM

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

108MHz

内存格式

FLASH, RAM

内存接口

Parallel

组织结构

16MX16

内存宽度

16

记忆密度

268435456 bit

电压 - 供电 （最大值）

1.95V

电压 - 供电 （最小值）

1.7V

长度

8mm

座位高度(最大)

1mm

宽度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant