DALLAS SEMICONDUCTOR DS1225Y-200-IND

表面安装

NO

终端数量

28

Operating Temperature (Min.)

-40°C

Operating Temperature (Max.)

85°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.085mA

组织结构

8KX8

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005A

记忆密度

65536 bit

访问时间（最大）

200 ns

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM MODULE

RoHS状态

Non-RoHS Compliant